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于今年下半年开始供应HBF样品,并推动基于HBF的AI设备样品在2027年面世。  HBF是高带宽闪存,其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似,是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。“HBM之父”韩国科学技术院(KAIST)教授金正浩认为,HBM与HBF就好比书房与图书馆。前者容量虽小,但使用起来方便;后者容量更大,但也意味着延迟更高。  2025年2月,闪迪首次提出HBF概念,并将其定位为结合3

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